正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：347 查看 »
对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系，手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值)，而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计，对宽脉冲应降额使用。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：319 查看 »
工作时，栅源之间不加电压，同增强型MOS管不同，漏源之间存在导电沟道，因此只要在漏源之间加正向电压，就会产生漏极电流。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：306 查看 »
导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：311 查看 »
工作时，栅源之间不加电压时，漏源之间PN结是反向的，所以不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，导电沟电是关闭的，就不会有电流通过。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：300 查看 »
为了解决MOS管发热问题，要准确判断是否是以上几种原因造成，更重要的是对开关管功率损耗进行正确的测试，才能发现问题所在，从而找对改善的关键点。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：296 查看 »
